晶体管元件查询
型号：FQA28N50F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】310 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】310 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.16 Ω
封装：TO-3PN
更多N沟道场效应管SGI360N65W3IXTH6N70(A)2SK3746IPP052N08N5FQP2N60CHY3712PSLNF12N60UV3205RFMH23N50EIRH150MTP4N502SK1420IRFZ34BSN274FLC053WG