晶体管元件查询
型号：FQP8N65C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管LNE06R079SUP85N03-07PSM4N60SPHP50N06LTNCE01H14CCRST055N08NFLM0910-4CLSD65R180GT4N65KFHP120N7F6ASSW4N90ASTP9NK90ZFMH06N80E23N50EP75N02LI