晶体管元件查询
型号：FQPF13N50C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：48 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.48 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IPI60R190C6(6R190C6)BUK9635-100AIRFU220IXTP5N60PME35N10IRFK2DE50STW20N65M52SK3017HF5N65LSB65R041GTFTW20N50AFQB34N20LSi2302STW8NA802N4416