晶体管元件查询
型号：HY3208B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】227 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】227 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管FQAF34N20LDN2540N82SK2996RM120N60T2IXTH11N95SMK2050CILSB60R030HTIRFF430IRF610ASVD13N50F2SK2527IRFK6J450NEZ0910-6ABF410BBUK446/800B