晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:HY3410B
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
285 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
140 A
漏极和源极电压(VDSS):100 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.0075 Ω
封装:TO-263

更多N沟道场效应管LSH65R650HTSTP20N65M5IRC833IXTH9N95STK7000FSW20N50CSCT50N120STP3NA60FFTK65T360P(NCE65T360)2N66597N60STP80NF55-082SK1461FLM6472-12DADH200N08D

中文 - English

电子爱好者