晶体管元件查询
型号：IPB072N15N3G
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：150 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0072 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管TK8A50DIRLD110IXTH50N25T2SK33992SK2738FTP11N08NIRF520IRFR111LSE70R450GTSTP3NA60FFHX15FA/LGIRFP4232PbFSGF250N50W3LNN04R075IRFP064NPbF