晶体管元件查询
型号：IPI075N15N3G
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：150 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0075 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管10N60CIRFSL4615PbFFHD150N03CLNG04R075BUK563-48CSFP36N03IXTQ50N25T2SK904HYG068N08NR1PLSD70R450GT2SK2926IRFJ331LNC06R0793SK272HY4004P