晶体管元件查询
型号：IPI110N20N3G(110N20N)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】88 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】88 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.011 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管STP16NF069N70IRF234NDTL03N150CDH150N102SK3591DHD100N03LSGD10R080W3IRFJ423FTK65T360P(NCE65T360)OR70802SK1884OSG65R130HT3ZFIRFAC402SK570