晶体管元件查询
型号：IRF200P223
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】313 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】313 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】100 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0115 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管2SK364FHP80N06BBF999NCE01H13DSUD35N05-26LLSD55R140GTIPW60R099C6(6R099C6)CS150N0310N65IRFJ132FQA160N082SK2662SSH8N70IRFF123MGF2148G