晶体管元件查询
型号：IRF841FI
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：450 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.85 Ω
总耗散功率（Ptot）：40 W
封装：TO-220FP
更多N沟道场效应管SGW145N60W3MGFK35V2228160N10SVF2N60D2SK2843LNC04R0502SK3101LS75N10HY5208AFLM6472-8C/DNEZ0910-2AWFW20N60SSH5N80AMTP2N40PFP730E