晶体管元件查询
型号：IRFB11N50A
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：170 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.52 Ω
封装：TO-220
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