晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRFD1Z0
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：1 W
漏极电流（ID）：0.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
封装：P-DIP4PIN

更多N沟道场效应管2SK2608AO4406AIRFBF202N3958NCE01H14CIPP60R190C6(6R190C6)2SK2655LNH05R100LNG05R075LSB65R041GTFQP5N90MDF18N502SK275FQP34N20LFDPF20N50T

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