晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXFH15N100Q3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】690 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】15 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.05 Ω
封装：TO-247

更多N沟道场效应管IRFF421TK4A65DALND13N50FQI3N25SSW6N80ASTW7N95K3IRF23410N65ACSVD1N60STH3N150-2IRF614SSF7508IXFK94N50P2IRFU224IRFP470

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