晶体管元件查询
型号：IXFH60N20
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.033 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管HY3610BSTW70N60DM22SK1419MGFC39V3742HMS85N952SK1338MGF2445LSH70R640GTOSG60R200FSZF2SK3299LSGG08R060W3HY5208AHY1620BNEZ1011-6A2SK315