晶体管元件查询
型号：IXFK27N80Q
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
漏极电流（ID）：27 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.32 Ω
封装：TO-264
更多N沟道场效应管SPB20N60C3SGW420N80W310N65-TUCHM94CIXTM5N100HVAOD508JCS5N50RTNP32N055HHEBUK456/60AIPA60R299CP(6R299P)IRFP448TK13A65DTK80E08K32SK3906FFSSUM-14(A)