晶体管元件查询
型号：IXFN36N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】36 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】36 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.18 Ω
封装：SOT-227B
更多N沟道场效应管MTD3N25EIRFZ46N2SK2486STD3NK90ZT42SK3590IPD250N06N3LSC60R280HTKGF1860RU6099STU11N65M22N6755SVF8N60ASIF12N60CIRF200B211IRFJ131