晶体管元件查询
型号：IXFN80N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】780 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】780 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.055 Ω
封装：SOT-227B
更多N沟道场效应管STB55NF03L2SK727JCS20N65WHFS3KM-10MTP3N35IRFZ25LNE12N60SSF7510KS6205DAIRFP47107N65STW20N65M52SK373DHI90N03LSB60R180HT