晶体管元件查询
型号：IXFP10N60P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.74 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管SGF250N50W3IRFK4H350CRSS042N10N2SK2962FQPF34N20LFDH20N40SP75N7524N50HNP80N055CLE2SK275FLM8596-8C2SK168FHF5N60ATK16E60W5BSV81