晶体管元件查询
型号：IXFT26N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】26 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】26 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.2 Ω
封装：TO-268
更多N沟道场效应管9N20CS64N182N4393LND2N60STP32N65M5IRFD020IRFIZ24STP14NK50ZDHB540RF1S70N06SMFDP075N15AIRF7112SK2544TSB8N60M2SK3134S