晶体管元件查询
型号：IXTH40N50L2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：540 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.17 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管DN2540N5LSB65R099GFIRC531STB12NM50NFLM7785-12D2SK398IPP030N10N325N50DH8004DIRF840FIMGFK37V4045TW015N65CIRF333STW15NA502SK117