晶体管元件查询
型号：IXTP80N10T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.014 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管FIR140N098RG2SK2608BUK457-600BMTB4N80EFNK01N15D2SK3595CSD30N55FLK012WFLSGG04R028LSH60R380HTSTW7N95K32SK606IRFU4104IRFP4432N6760