晶体管元件查询
型号：JCS4N65B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.6 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管IRFP460LCSTF11N65M2FHP40N20DSTW7NA90DHD540IRF343S70N08IRF2907LSE80R350GTSTFW4N150LNH05R230FHU5N60ADHB80N08IRFB38N20DLNG4N60