晶体管元件查询
型号：LNDN12N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：42 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.8 Ω
封装：TO-220MF
更多N沟道场效应管STW20NK50Z75NF68HY3610PUV9906QNP80N055ELE3SK206MGFC39V44502SK2700LNG2N652SK3316UV4004RJCS4N60CBUZ3812SK2043FBM100N80