晶体管元件查询
型号：LNF12N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.8 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管DH200N08IRFR111IRFS3207PbFIXTH5N100IXFH28N50FNTMFS4C09NSKSS042N10NFLL35METF060N03MH7N1004DSBUZ35890N20SSH9N90AIRFF232MGF2445