晶体管元件查询
型号：LNH4N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：77 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.4 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管IRFF330SGF210N50W3IRFK2D0542N7219STW9NA60IRFZ35B3020LJCS730VSVF14N60TLSH65R2K5GTSVF8N602SK3633PHB50N06LTFHF73020N50