晶体管元件查询
型号：LSD60R650HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：63 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-220MF
更多N沟道场效应管IRF6342N6659MGFX35V9500P75N02LISVF6N60MJTK12A60DIRFR0242SK280STP26N60DM6JCS7HN60B2SK4212STP80NF55-06LND7N602SK1917MSTP80NF70