晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:LSD65R099GT
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):35 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
40 A
漏极和源极电压(VDSS):650 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.099 Ω
封装:TO-220MF

更多N沟道场效应管2SK320IRFPC422SK1548IRFSZ222N6796MMD65R600QRH2SK4014IRFR21540N10FLM7785-4C/D2SK3569LNG06R230MTP3055VFLR054XVSSF7N90A

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