晶体管元件查询
型号：LSG65R570GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：83 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.57 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管2SK2141NE32184A-1.190N03LLSF65R380HTIRFP4468PbFFHS110N8F5B2N39582SK176LSB65R180GFIRFD1Z3MTP7N18FLC103WGAP90N06F2SK526STB5NB80