晶体管元件查询
型号：LSG65R950HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：40 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.95 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管NCE40H12ILSH65R1K6GTLSD70R450GTIRF452SRC60R140BS2DHD100N03MMD60R580PBLNG04R165FQB55N10MDD4N20Y15N60IRFSZ42LSH80R980GT2SK3572AP90N06F