晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:LSGN04R029
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):62.6 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
120 A
漏极和源极电压(VDSS):40 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.0029 Ω
封装:DFN5×6

更多N沟道场效应管2SK60LNG04R120IRF823DH540PTP04N08NSTP4N150LNH2N65IRFJ123SSH6N80IRFF2312SK69SGF160N60W32SK4132SK1522SK125

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