晶体管元件查询
型号：LSH60R1K4HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管NTP5860NGIRFU222LNN08R085IXTH9N95AOTF14N50SVG095R0NTSi2302FQAF34N20LFMH09N90ELND7N65D2SK569BUK555/60BIRFBG20IRCP054SFF20N60N