晶体管元件查询
型号：ME15N10-G
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：34.7 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】14.7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】14.7 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.1 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管DHE3205TBUZ71IRFK3F150DHD1710LND10N65FQPF7N80CSUD50N02-09PFHR02FHLSD65R180GTHY3712PS9N20LSB55R055GFNTMFS5C628NL(5C628L)KJ03N08D2SK3639