晶体管元件查询
型号：MTP12N20
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
漏极电流（ID）：12 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.35 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管IXFH10N65FLM7177-8C/DLSD60R125HTLSGE085R041W3IRF2805STU7NB100LNSC23022SK1350ECF10N20SiHG20N50CSTW45NM60BSS91HYG011N04LS1TAIXTH11N80FSX51WF