晶体管元件查询
型号：MTP4N18
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
漏极电流（ID）：4 A
漏极和源极电压（VDSS）：180 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管STB9NK50Z-12SK1046SSF7N90AIRFK4H350SFF20N60N50N25IRFP453IRC533MMP60R290P2SK69NCE01H14TP20N60SD2LSE70R380GTIRFJ2202SK2467