晶体管元件查询
型号：MTP4N40
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
漏极电流（ID）：4 A
漏极和源极电压（VDSS）：400 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.8 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管IRFPE50IRFB4229PbFSTW58N60DM2AG16N60200N10IRFAF402N6770PHP78NQ03LT2SK557FDP19N40IPI60R099CP(6R099P)DMFP84N06NIXFN106N202SK16432SK586