晶体管元件查询
型号：RF1S40N10
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.04 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管FLK202MH-14NCE80H16IXTH9N100NE32183A2SK3455IXFK180N10SVD1N60IRF732SSM09N90GWFDA38N30STP6NK90ZMGF1414IRL5102SK703IRFI634