晶体管元件查询
型号：RU75N08R
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：176 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：75 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.011 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管STD6N95K5IRFF431IRF2204PbFSPP02N80C3IXTH11N802SK4092DHI5402SK21412SK288910N60CFKP300AFHS40N20DLNN03R031FHD100N03D12N80