晶体管元件查询
型号：S85N16S
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】258 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】258 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
漏极和源极电压（VDSS）：85 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.006 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管NDP6020IRFAG42FDPF18N50A4SHBDHB130N03IRF236SLB12N65CTK39Z60XIRFSL4410ZPbFFSX03FA/LGIRF711BUK436/800B2SK108FHX15FA/LGIXFH24N50