晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGB1K1N70W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：5 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.1 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管NCE3010SNCE65TF180FFSX52XMTW32N20EUV250N08RSVT085R5NL5TRRU7788IRC531FDP047N08IRFR214RU190N08IRFS625IRFJ242HY1808PIRH450

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