晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGB650N80W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：8 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管SSM09N90GW7N653SK203IRFS722FLL10MESGI360N65W3SVD640DLSGG04R028IRF3205PbFLNF10N65IPP60R360P7IRFI820LNH04R035BNE33284AIRFP4227PbF

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