晶体管元件查询
型号：SPA11N80C3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：34 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.45 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管LSD65R760GTMTP3N40IRF610A2SK585DHI540STD3NK90ZT4HFS12N65SSTH12N60BUK456/60A30N05PTP04N08NFTNCS1N60HY3506A33N25IRFF230