晶体管元件查询
型号：STI32N65M5
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】24 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】24 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.119 Ω
封装：I2PAK
更多N沟道场效应管FLC103WGSTY139N65M5IRFF310SSP5N70IRFB5615PbFNCEP039N10NCE65TF180FSA04N60AHY5110ASPP24N60CFDSVF7N60HSS3N10AOD406MGFK25M4045MGF4403A