晶体管元件查询
型号：SVD12N60F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】51 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】51 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.8 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IRFJ143FDA20N50CJP75N80NE32084AHK6030LXDHD90N035RSVD8N60IRFJ220FCPF380N60MGFC36V4450LSD60R380HTIXFX48N50QIXFN200N06AO44082SK2956