晶体管元件查询
型号：SVF4N65T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.7 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管FTN01N65C2SK3591AO4408LND10N60LND7N65D2N60MGFK35V2732STP26N60DM6MGFC39V6471FHX15FA/LGNDP603AFTN01N60CTK80E08K3LND5N50IRFJ243