晶体管元件查询
型号：SVG076R5NS
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：114 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：70 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0065 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管STW6NA80IPAW60R380CE(60S380CE)IRFD22310N65NCEP039N10FLL351ME2SK1617IXFH1N1002SK732SK1196IRLZ34TK12A60WLSD65R125HTRF1S70N03STW15NA50