晶体管元件查询
型号：SVT077R5ND
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】143 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】143 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】95 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】95 A
漏极和源极电压（VDSS）：68 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0075 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管SML25SCM650N2BIRF2805FDP045N10ALNL04R120IXFT15N100Q3IRFBG202N6763IRF630NLSGD660N60W3IRFBF302SK29628N80FMV10N80ESi2300DSFLS31ME