晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:SiHF740S
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
125 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
10 A
漏极和源极电压(VDSS):400 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.55 Ω
封装:D2PAK

更多N沟道场效应管IRFP264IXTH10N90JCS7HN60S2SK727LSG60R650HTFQP10N60CIXTH6N80IRFSZ402SK1963STW14NK50ZIRF1512SK3301TLSG65R650HTIRFBC42IRFZ46N

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