晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SiHG80N60E
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】520 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.03 Ω
封装：TO-247AC

更多N沟道场效应管2SK63DH100N06NCE80H16SGD360N65W3OR7090STB9NK90Z2SK4118MGF1802IRF7322SK273IRFR224LNG08R08557N10LSC65R380HTIXFT24N50

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