晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：TK100E10N1
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：255 W
漏极电流（ID）：207 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0034 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管3SK189IRFU1202SK559IRF7422SK2527IRF132STW8N80AO3442FTP05N50DSVD4N60LNE06R079FLS16IRF1404ZPbFSUP85N03-04P2SK404

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