晶体管元件查询
型号：TSF8N60M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管RFP8N18STW80NF55-08IRFD1212SK1688FIR140N10ANFGBUK9635-100AIRFIP244SGF180N65W3FLC161WFKF7N50F2SK1239IRF232LNDN10N652SK354ADHE3205